矽源特PE30D10是VDS=30V,ID=10A的N-MOSFET.丝印是30D10.提供SOP-8封装.

  • 2022-06-23
  • John Dowson

矽源特PE30D10概述:

矽源特PE30D10是VDS=30V,ID=10A,RDS(ON)<13mΩ,@VGS=10V,RDS(ON)<18mΩ,@VGS=4.5V的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.矽源特PE30D10的丝印是30D10.矽源特PE30D10提供SOP-8封装.

The 矽源特PE30D10 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

矽源特PE30D10特性:

VDS = 30V, ID = 10A

RDS(ON) < 13mΩ @ VGS=10V

RDS(ON) < 18mΩ@VGS=4.5V

High Power and current handingcapability

Lead free product is acquired

Surface Mount Package

矽源特PE30D10应用:

PWM applications

Load switch

Power management

矽源特PE30D10典型应用及引脚图:

矽源特PE30D10典型应用及引脚图:

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